Излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, отделенных от подложки

ДОРОГАН, В. В.; НЕГРЕСКУЛ, В. В.; ТРОФИМ, В. Г.; ЧУМАК, В. А.

Излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, отделенных от подложки

ДОРОГАН, В. В.; НЕГРЕСКУЛ, В. В.; ТРОФИМ, В. Г.; ЧУМАК, В. А.

URI: http://repository.utm.md/handle/5014/13907

Date: 1985

Abstract:

Задачей настоящей работы являлось исследование излучательных свойств нелегированных и легированных Zn, Sn, Ge и Si слоев GaAs после их отделения о т несущей подложки, а также установление влияния промежуточного слоя AlxGa1-xAs на свойства отделенных от подложки слоев.

Show full item record