IRTUM – Institutional Repository of the Technical University of Moldova
Излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, отделенных от подложки
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | ДОРОГАН, В. В. | |
| dc.contributor.author | НЕГРЕСКУЛ, В. В. | |
| dc.contributor.author | ТРОФИМ, В. Г. | |
| dc.contributor.author | ЧУМАК, В. А. | |
| dc.date.accessioned | 2021-03-19T10:48:28Z | |
| dc.date.available | 2021-03-19T10:48:28Z | |
| dc.date.issued | 1985 | |
| dc.identifier.citation | ДОРОГАН, В. В., НЕГРЕСКУЛ, В. В., ТРОФИМ, В. Г. Излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, отделенных от подложки. In: Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki. 1985, V. 11, N. 9 pp. 550–553. ISSN 0320-0116. | en_US |
| dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/13907 | |
| dc.description.abstract | Задачей настоящей работы являлось исследование излучательных свойств нелегированных и легированных Zn, Sn, Ge и Si слоев GaAs после их отделения о т несущей подложки, а также установление влияния промежуточного слоя AlxGa1-xAs на свойства отделенных от подложки слоев. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Ioffe Institute, RAS | en_US |
| dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
| dc.subject | эпитаксиальные слои | en_US |
| dc.subject | монокристаллические подложки | en_US |
| dc.title | Излучательные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, отделенных от подложки | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
Files in this item
The following license files are associated with this item:
This item appears in the following Collection(s)
Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States