Анодный электродный процесс в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, стимулированный внешними воздействиями

Abstract

В качестве объекта исследований использовались тонкослойные структуры Al—As 2S8Ge 4 , изготовленные термическим вакуумным напылением на стеклянные подложки с предварительно нанесенным проводящим слоем двуокиси олова. Электродный процесс стимулировался приложением внешнего напряжения положительной полярности к алюминиевому электроду (анодный процесс ЭСХП) и дополнительным освещением структур до полного израсходования электрода.