Анодный электродный процесс в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, стимулированный внешними воздействиями

АНДРИЕШ, А. М.; НЕФЕДОВ, В. Я .; ЦИУЛЯНУ, Д. Я .; СОКОЛОВ, А. Н.; ТРИДУХ, Г. М.; ГРИНШПУН, Л. Б.

dc.contributor.author	АНДРИЕШ, А. М.
dc.contributor.author	НЕФЕДОВ, В. Я .
dc.contributor.author	ЦИУЛЯНУ, Д. Я .
dc.contributor.author	СОКОЛОВ, А. Н.
dc.contributor.author	ТРИДУХ, Г. М.
dc.contributor.author	ГРИНШПУН, Л. Б.
dc.date.accessioned	2021-01-21T12:22:57Z
dc.date.available	2021-01-21T12:22:57Z
dc.date.issued	1990
dc.identifier.citation	АНДРИЕШ, А. М., НЕФЕДОВ, В. Я ., ЦИУЛЯНУ, Д. Я et al. Анодный электродный процесс в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, стимулированный внешними воздействиями. In: Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki. 1990, V. 60, Iss. 6, pp. 148–151. ISSN 0044-4642.	en_US
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/12524
dc.description.abstract	В качестве объекта исследований использовались тонкослойные структуры Al—As 2S8Ge 4 , изготовленные термическим вакуумным напылением на стеклянные подложки с предварительно нанесенным проводящим слоем двуокиси олова. Электродный процесс стимулировался приложением внешнего напряжения положительной полярности к алюминиевому электроду (анодный процесс ЭСХП) и дополнительным освещением структур до полного израсходования электрода.	en_US
dc.language.iso	ru	en_US
dc.publisher	Ioffe Institute, RAS	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	semiconductors	en_US
dc.subject	полупроводники	en_US
dc.subject	тонкослойные структуры	en_US
dc.subject	термическое вакуумное напыление	en_US
dc.subject	вакуумное напыление	en_US
dc.subject	напыление	en_US
dc.title	Анодный электродный процесс в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, стимулированный внешними воздействиями	en_US
dc.title.alternative	Anode electrode process stimulated by external effects in vitreous semiconductors	en_US
dc.type	Article	en_US