Abstract:
В настоящей работе исследованы некоторые свойства ТСЭ рAlxGa1-xAs-nGaAs отделенных от подложек GaAs, и рассмотрены возможности их применения в составе каскадных солнечных элементов (КСЭ) с использованием Si СЭ в качестве узкозонного элемента.