Cele mai înalte calificative – pentru savanţii UTM: Membrane ultrafine din GaN

Abstract

Centrul Naţional de Studiu şi Testare a Materialelor al UTM în parteneriat cu Institutul National de Cercetare -Dezvoltare pentru Microtehnologie, București, au realizat proiectul bilateral de cercetare „Sinapse artificiale bazate pe membrane ultrafine din GaN”. În rezultatul cercetărilor efectuate s-a demonstrat, în premieră, că rețeaua de nanomembrane în baza GaN are proprietăți caracteristice unui dispozitiv memristiv (tranzistor cu memorie).