dc.contributor.author | Mesager Universitar | |
dc.date.accessioned | 2020-11-13T10:53:36Z | |
dc.date.available | 2020-11-13T10:53:36Z | |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.identifier.citation | Cele mai înalte calificative – pentru savanţii UTM: Membrane ultrafine din GaN. In: Mesager Universitar. 2018, nr 8, p. 7. | en_US |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/11421 | |
dc.description.abstract | Centrul Naţional de Studiu şi Testare a Materialelor al UTM în parteneriat cu Institutul National de Cercetare -Dezvoltare pentru Microtehnologie, București, au realizat proiectul bilateral de cercetare „Sinapse artificiale bazate pe membrane ultrafine din GaN”. În rezultatul cercetărilor efectuate s-a demonstrat, în premieră, că rețeaua de nanomembrane în baza GaN are proprietăți caracteristice unui dispozitiv memristiv (tranzistor cu memorie). | en_US |
dc.language.iso | ro | en_US |
dc.publisher | Universitatea Tehnică a Moldovei | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | rețea de nanomembrane | en_US |
dc.subject | tranzistor cu memorie | en_US |
dc.subject | nanomembrane ultrasubțiri | en_US |
dc.title | Cele mai înalte calificative – pentru savanţii UTM: Membrane ultrafine din GaN | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: