Abstract:
Invenţia se referă la tehnica şi tehnologia semiconductorilor oxizi, în particular la un procedeu de funcţionalizare a nanofirelor de ZnO cu peliculă nanocristalină de ZnAl2O4. Procedeul de funcţionalizare a nanofirelor de ZnO cu peliculă nanocristalină de ZnAl2O4 constă în aceea că se confecţionează nanofirele de ZnO într-un cuptor, utilizând metoda de sinteză prin transportul de flacără (FTS); se aşează nanofirele de ZnO pe suprafaţa unei plachete de Si oxidate termic, şi se introduce placheta într-un reactor de cuarţ vidat şi încălzit până la temperatura de 450°C; se transportă, în reactorul de cuarţ, printr-un flux de argon, vapori de Al(C3H7O)3, obţinuţi prin introducerea prafului de Al(C3H7O)3 într-un barbotor din cuarţ, încălzit până la temperatura de 120°C, în reactorul de cuarţ având loc reacţia de piroliză termică, cu obţinerea oxidului de aluminiu (Al2O3), care se depune pe suprafaţa nanofirelor de ZnO, formând o peliculă de Al2O3; nanofirele de ZnO acoperite cu un strat de peliculă de Al2O3 se tratează termic în reactorul de cuarţ la temperatura de 975°C timp de 2h, unde are loc difuzia între ambele substanţe şi transformarea peliculei de Al2O3 într-o peliculă nanocristalină de ZnAl2O4.