Formarea peliculelor de oxizi pe suprafața siliciului cu aplicarea plasmei descărcărilor electrice în impuls de acțiune indirectă

TOPALA, P.; MELNIC, V.; GUZGAN, D.

dc.contributor.author	TOPALA, P.
dc.contributor.author	MELNIC, V.
dc.contributor.author	GUZGAN, D.
dc.date.accessioned	2020-09-15T09:57:15Z
dc.date.available	2020-09-15T09:57:15Z
dc.date.issued	2015
dc.identifier.citation	TOPALA, P., MELNIC, V., GUZGAN, D. Formarea peliculelor de oxizi pe suprafața siliciului cu aplicarea plasmei descărcărilor electrice în impuls de acțiune indirectă. In: Inginerie Agrară şi Transport Auto: materialele Simpoz. Şt.-Practic Intern. "Realizări şi perspective în ingineria agrară şi transport auto", Chișinău, 12-13 noiem. 2015. Chișinău, 2015, vol. 45, pp. 249-252. ISBN 978-9975-64-276-7.	en_US
dc.identifier.isbn	978-9975-64-276-7
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/9447
dc.description	Sursa: Simpozion Şt.- Practic Intern. – "Realizări şi perspective în ingineria agrară şi transport auto", Vol. 45, Chișinău, Moldova, 12-13 noiembrie 2015. https://ibn.idsi.md/collection_view/185	en_US
dc.description.abstract	Oxidation of semiconductor surface by means of electrical discharges in impulse in air has been realized under normal conditions. It is shown that the morphology of oxide films depends on the processing power. The quantity of oxygen absorbed by semiconductor surface depends on discharge frequency and number of discharges.	en_US
dc.language.iso	ro	en_US
dc.publisher	Universitatea Agrară de Stat din Moldova	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	oxidation	en_US
dc.subject	oxide films	en_US
dc.subject	semiconductor surfaces	en_US
dc.subject	discharges	en_US
dc.subject	oxidare	en_US
dc.subject	material semiconductor	en_US
dc.title	Formarea peliculelor de oxizi pe suprafața siliciului cu aplicarea plasmei descărcărilor electrice în impuls de acțiune indirectă	en_US
dc.type	Article	en_US