In this article, the conditions for obtaining monocrystals of CuGa2.5In2.5S8, were investigated, their optical absorption edge, electrical and photoelectric properties. Using the criteria for the formation of new layered chalcogenides with octahedral and tetrahedral coordination of cations, it was hypothesized that due to the replacement of half of the In atoms in the CuIn5S8 spinel with Ga, which has a pronounced tendency to occupy the tetrahedral B sites in a denser packing of S atoms, a layered phase is formed. Melting of a stoichiometric mixture of Cu+2.5Ga+2.5In+8S led to the synthesis of a previously unknown single-phase product with a layered crystalline structure. Since copper, gallium, and indium sulfides are generally good photoconductors, it could be expected that the new compound would also exhibit high photosensitivity. The aim of this work was to investigate the conditions for obtaining of CuGa2.5In2.5S8 single crystals, their optical absorption edge, electrical and photoelectric properties.
În acest articol, au fost investigate condițiile pentru obținerea monocrystalelor de CuGa2.5In2.5S8, limita de absorbție optică și proprietățile lor electrice și fotoelectrice. Folosind criteriile pentru formarea noilor chalcogenide stratificate cu coordonare octaedrică și tetraedrică a cationilo, s-a admis că substituind jumătate dintre atomii de In din spinelul CuIn5S8 cu Ga, care prezentau o tendință pronunțată de a ocupa spațiile tetraedrice B într-o împachetare mai densă a atomilor de S, s-a format o fază stratificată. Fuziunea unui amestec stochiometric de Cu+2,5Ga+2,5In+8S a condus la sinteza unui produs monofazic necunoscut anterior, cu o structură cristalină stratificată. Având în vedere că sulfatul de cupru, galiu și indiu sunt, în general, buni fotoconductori, se putea aștepta că noul compus să prezinte, de asemenea, o sensibilitate fotoelectrică ridicată. Scopul acestei lucrări a fost de a investiga condițiile de obținere a monocrystalelor de CuGa2,5In2,5S8, limita de absorbție optică și proprietățile lor electrice și fotoelectrice.