IRTUM – Institutional Repository of the Technical University of Moldova

Growth of single crystals, photoelectric properties and the absorption edge of a new layered CuGa2.5In2.5S8 compound

Show simple item record

dc.contributor.author ARAMA, Efim
dc.contributor.author PINTEA, Valentina
dc.contributor.author SHEMYAKOVA, Tatiana
dc.contributor.author GASITOI, Natalia
dc.date.accessioned 2025-01-05T07:40:18Z
dc.date.available 2025-01-05T07:40:18Z
dc.date.issued 2024
dc.identifier.issn 2587-3474
dc.identifier.issn 2587-3482
dc.identifier.uri https://www.doi.org/10.52326/jes.utm.2024.31(3).02
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/28927
dc.description.abstract In this article, the conditions for obtaining monocrystals of CuGa2.5In2.5S8, were investigated, their optical absorption edge, electrical and photoelectric properties. Using the criteria for the formation of new layered chalcogenides with octahedral and tetrahedral coordination of cations, it was hypothesized that due to the replacement of half of the In atoms in the CuIn5S8 spinel with Ga, which has a pronounced tendency to occupy the tetrahedral B sites in a denser packing of S atoms, a layered phase is formed. Melting of a stoichiometric mixture of Cu+2.5Ga+2.5In+8S led to the synthesis of a previously unknown single-phase product with a layered crystalline structure. Since copper, gallium, and indium sulfides are generally good photoconductors, it could be expected that the new compound would also exhibit high photosensitivity. The aim of this work was to investigate the conditions for obtaining of CuGa2.5In2.5S8 single crystals, their optical absorption edge, electrical and photoelectric properties. en_US
dc.description.abstract În acest articol, au fost investigate condițiile pentru obținerea monocrystalelor de CuGa2.5In2.5S8, limita de absorbție optică și proprietățile lor electrice și fotoelectrice. Folosind criteriile pentru formarea noilor chalcogenide stratificate cu coordonare octaedrică și tetraedrică a cationilo, s-a admis că substituind jumătate dintre atomii de In din spinelul CuIn5S8 cu Ga, care prezentau o tendință pronunțată de a ocupa spațiile tetraedrice B într-o împachetare mai densă a atomilor de S, s-a format o fază stratificată. Fuziunea unui amestec stochiometric de Cu+2,5Ga+2,5In+8S a condus la sinteza unui produs monofazic necunoscut anterior, cu o structură cristalină stratificată. Având în vedere că sulfatul de cupru, galiu și indiu sunt, în general, buni fotoconductori, se putea aștepta că noul compus să prezinte, de asemenea, o sensibilitate fotoelectrică ridicată. Scopul acestei lucrări a fost de a investiga condițiile de obținere a monocrystalelor de CuGa2,5In2,5S8, limita de absorbție optică și proprietățile lor electrice și fotoelectrice. en_US
dc.language.iso en en_US
dc.publisher Technical University of Moldova en_US
dc.relation.ispartofseries Journal of Engineering Science, 2024, vol. 31, nr. 3;
dc.relation.ispartofseries ARAMA, Efim; Valentina PINTEA; Tatiana SHEMYAKOVA and Natalia GASITOI. Growth of single crystals, photoelectric properties and the absorption edge of a new layered CuGa2.5In2.5S8 compound = Creșterea monocristalelor, proprietățile fotoelectrice și limitele de absorbție ale noului compusului stratificat CuGa2,5In2,5S8. Journal of Engineering Science. 2024, nr 3 (31), pp. 18-26. ISSN 2587-3474, eISSN 2587-3482.;
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject ternary semiconductors en_US
dc.subject optical absorption en_US
dc.subject photoluminescence en_US
dc.subject photoconductivity en_US
dc.subject chalcogenides en_US
dc.subject compuşi ternari semiconductori en_US
dc.subject absorbţie optică en_US
dc.subject fotoluminescenţă en_US
dc.subject fotoconductivitate en_US
dc.subject calcogenizi en_US
dc.title Growth of single crystals, photoelectric properties and the absorption edge of a new layered CuGa2.5In2.5S8 compound en_US
dc.title.alternative Creșterea monocristalelor, proprietățile fotoelectrice și limitele de absorbție ale noului compusului stratificat CuGa2,5In2,5S8 en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Browse

My Account