О механизме токопрохождения в изотипных гетеропереходах стеклообразный As2S3-p- Si

Abstract

Исследована зависимость ВАХ изотипных гетеропереходов стеклообразный As2S3—монокристалл кремния от толщины стеклообразного слоя в широких интервалах приложенных напряжений (10 -2 ≤ U ≤ 10 2 В) и температур (77 ≤ Т ≤ 400 К). Показано, что механизм токопрохождения определяется условием проведения эксперимента. В рассматриваемых гетеропереходах конкурируют по крайней мере три механизма токопрохождения: туннелирование, ТОПЗ в As2S3 с участием экспоненциально распределенных по энергиям ловушек и ТОПЗ без ловушек'при полном их заполнении. Дрейфовая подвижность дырок в последнем случае'соответствует ~10 -5 см2 /В с. В запрещенной зоне A s 2S3 на фоне экспоненциального распределения обнаружена группа уровней, распложенных на глубине —0.4 эВ от потолка валентной зоны.