dc.contributor.author | РАДАУЦАН, С. И. | |
dc.contributor.author | СЫРБУ, Н. Н. | |
dc.contributor.author | СТАМОВ, И. Г. | |
dc.date.accessioned | 2021-01-05T16:46:48Z | |
dc.date.available | 2021-01-05T16:46:48Z | |
dc.date.issued | 1977 | |
dc.identifier.citation | РАДАУЦАН, С. И., СЫРБУ, Н. Н., СТАМОВ, И. Г. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnP2(D48) - ZnP2 ( C52h). In: Doklady Akademii Nauk SSSR, 1977, V. 236, N. 1, pp. 72–74. ISSN 0869-5652. | en_US |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/12380 | |
dc.description.abstract | В данной работе рассматриваются свойства гетеропереходной пары, образованной на базе соединения ZnP2 , существующей в двух модификациях: с пространственной группой С2h5 и D48 . | en_US |
dc.language.iso | ru | en_US |
dc.publisher | Russian Academy of Sciences | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | полупроводники | en_US |
dc.subject | гетеропереходные структуры | en_US |
dc.title | Фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnP2(D48) - ZnP2 ( C52h) | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: