Procedeu de obţinere a senzorului de hidrogen pe baza nanostructurilor de ZnO/SiO2

Abstract

Invenţia se referă la tehnica şi tehnologia semiconductorilor oxizi, în particular la procedeul de obţinere a senzorilor de hidrogen pe baza nanostructurilor de ZnO/SiO2. Procedeul, conform invenţiei, include depunerea pe un suport de sticlă prin metoda sintezei chimice din soluţie a peliculei nanostructurate de ZnO, depunerea pe aceasta prin metoda descompunerii pirolitice a tetraetoxisilanului Si(OC2H5)4 la temperatura de 750 °C a peliculei de SiO2 cu grosimea de 25-30 nm, depunerea pe ultima a contactelor ohmice din Au-Cr şi tratarea termică la temperatura de 850 °C timp de 2 ore.