Procedeu de obţinere a straturilor monocristaline termoelectrice subţiri de tipul BI2TE3, BI2SE3 sau BI1-XSBX = The process of obtaining the monocrystalline thin thermoelectric layers of type BI2TE3, BI2SE3 or BI1-XSBX

Abstract

Invenţia se referă la ştiinţa materialelor, micro- şi nanotehnologii, şi anume la un procedeu de obţinere a straturilor monocristaline termoelectrice subţiri de tipul Bi2Te3, Bi¬2Se3 şi Bi1-xSbx cu diverse dimensiuni, fără suporturi, care pot fi utilizate în calitate de n- şi p- ramuri pentru dispozitivele termoelectrice. Procedeul, conform invenţiei, constă în aceea că o probă de monocristal, se presează între două plăci netede, după care proba se plasează într-un vas cu azot lichid până la răcirea completă. După extragerea probei din vasul cu azot lichid obținem straturile monocristaline subțiri.

The invention relates to materials science, micro- and nanotechnologies, namely to a process for obtaining thin thermoelectric monocrystalline layers of the Bi2Te3, Bi2Se3 and Bi1-xSbx type with various dimensions, without supports, which can be used as n- and p-branches for thermoelectric devices. The process, according to the invention, consists in that a single crystal sample is pressed between two smooth plates, after which the sample is placed in a vessel with liquid nitrogen until completely coolEdiţia After extracting the sample from the vessel with liquid nitrogen, we obtain thin single crystal layers.