Топологические Переходы Полупроводник-Полуметалл в Нитях Bi1-ХSbх при Анизотропной Деформации

Abstract

Получены монокристаллические нити Bi1-хSbх в полупроводниковой области концентраций (0,05< х< 0,12) в стеклянной оболочке с диаметрами от 1 мкм до 2мкм. При анизотропной деформации типа одноосного растяжения (до 2 % относительного удлинения), получен объем новой информации о количественной и качественной перестройке зонной структуры полупроводниковых нитей Bi- 8ат%Sb. Установлено, что при анизотропной деформации типа упругого растяжения нитей Bi- 8ат%Sb происходит переход полупроводник – полуметалл, при котором сопротивление нити уменьшается в 2 раза. Переход регистрировался с помощью осцилляций Шубникова де Гааза от появляющихся L носителей и в сильных магнитных полях от Т – дырок, что указывает на возрастание перекрытия L и Т термов, т.е. на усиление вырождения системы. Полученная информация будет полезна с точки зрения оптимизации приборов для термомагнитного охлаждения и приемников ИК – излучения, а так же при изготовлении тензодатчиков на основе Bi и сплавов Bi1-хSbх.