The deposition process of ZnO films doped with Eu and functionalized with PD

Abstract

Invenţia se referă la tehnologia de depunere a peliculelor din semiconductori oxizi, în particular la un procedeu de obținere a peliculelor ZnO:Eu3+, cu aplicarea tratamentului fotonic rapid (T=650 °C, t=60s), care pot fi aplicate la confecționarea senzorilor de gaze obținând sensibilitatea la concentrația de 100 ppm H2 la temperatura

camerei și la temperatura de operare de 250

oC .

The invention relates to the technology for deposition of semiconductor oxide films, in particular to the process of obtaining of ZnO:Eu3+ films, with application of rapid thermal annealing (T=650 °C, t=60s), with can be applied to the manufacture of gas sensors obtaining sensibility

for 100 ppm H2 gas at room temperature and

at operating temperature of 250 oC.