Особенности характеристик гетероперходных структур на кристаллах 2-5 с оксидами Индия и Олова

ПАНАСЕНКО, Вячеслав; ТКАЧЕНКО, Дмитрий; СТАМОВ, Иван; СЫРБУ, Николай

Home
→
Facultatea Electronică şi Telecomunicaţii
→
Conferinţa Internaţională "Telecomunicaţii, Electronică şi Informatică" - ICTEI
→
2018
→
View Item

dc.contributor.author	ПАНАСЕНКО, Вячеслав
dc.contributor.author	ТКАЧЕНКО, Дмитрий
dc.contributor.author	СТАМОВ, Иван
dc.contributor.author	СЫРБУ, Николай
dc.date.accessioned	2020-05-04T12:02:05Z
dc.date.available	2020-05-04T12:02:05Z
dc.date.issued	2018
dc.identifier.citation	ПАНАСЕНКО, Вячеслав, ТКАЧЕНКО, Дмитрий, СТАМОВ, Иван et al. Особенности характеристик гетероперходных структур на кристаллах 2-5 с оксидами Индия и Олова. In: Telecomunicaţii, Electronică şi Informatică: proc. of the 6th intern. conf., May 24-27, 2018. Chişinău, 2018, pp. 143-144. ISBN 978-9975-45-540-4.	en_US
dc.identifier.isbn	978-9975-45-540-4
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/8069
dc.description.abstract	The heterojunction of photosensitive structures based on birefractive crystals with indium-tin oxides are obtained. The electric and photoelectric properties are investigated. The photocurrent spectra and electrical characteristics are formed by the parameters of semiconductors and the features of the energy diagrams of heterostructures.	en_US
dc.language.iso	ru	en_US
dc.publisher	Tehnica UTM	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	бирефрактивные кристаллы	en_US
dc.subject	кристаллы	en_US
dc.subject	гетеропереходы	en_US
dc.title	Особенности характеристик гетероперходных структур на кристаллах 2-5 с оксидами Индия и Олова	en_US
dc.type	Article	en_US