Пропускание ультракоротких импульсов лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в условиях возбуждения экситонов и биэкситонов

Abstract

Рассмотрена задача нестационарного пропускания двух падающих на тонкую пленку ультракоротких импульсов лазерного излучения. Один из падающих импульсов находится в резонансе с двухфотонным переходом из основного состояния кристалла в биэкситонное, тогда как другой когерентно смешивает экситонное и биэкситонное состояния. Исследовано влияние амплитуд и ширин падающих импульсов на особенности их пропускания пленкой. Предсказан эффект существенной временной задержки в генерации проходящего через пленку импульса относительно падающего. Доказана возможность генерации прекурсора, т.е. импульса, проходящего через пленку раньше, чем пик падающего импульса достигнет пленки, а также возможность генерации отраженного импульса в отсутствии падающего.