IRTUM – Institutional Repository of the Technical University of Moldova

Annealing effect on UV detection properties of ZnO:Al structures

Show simple item record

dc.contributor.author NAGPAL, Rajat
dc.contributor.author CHIRIAC, Maxim
dc.contributor.author SEREACOV, Alexandr
dc.contributor.author BIRNAZ, Adrian
dc.contributor.author ABABII, Nicolai
dc.contributor.author LUPAN, Cristian
dc.contributor.author BUZDUGAN, Artur
dc.contributor.author SANDU, Iulia
dc.contributor.author SIEBERT, Leonard
dc.contributor.author PAUPORTÉ, Thierry
dc.contributor.author LUPAN, Oleg
dc.date.accessioned 2024-01-31T12:43:11Z
dc.date.available 2024-01-31T12:43:11Z
dc.date.issued 2023
dc.identifier.citation NAGPAL, Rajat et al. Annealing effect on UV detection properties of ZnO:Al structures. In: Journal of Engineering Science. 2023, vol. 30, nr. 4, pp. 45-62. ISSN 2587-3474, eISSN 2587-3482. en_US
dc.identifier.issn 2587-3474
dc.identifier.issn 2587-3482
dc.identifier.uri https://doi.org/10.52326/jes.utm.2023.30(4).04
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/26150
dc.description.abstract The aim of this study was to develop low-powered, highly selective UV sensor to continuously monitor personalized UV exposure as well as to study annealing effect on UV detection properties of the sensors. ZnO:Al structures were obtained by chemical growth method followed by thermal annealing at 625 °C for 2 h. The studied samples exhibit maximal UV response of 620/488 at 25 °C/50 °C to 370 nm UV radiation before/after annealing, respectively. Thermal annealing of sensor (250 °C for 1 h) led to improvement in fall time from 3860 seconds to 262 seconds at 25 °C and highest responsivity (~48 mA/W) came out for 370 nm wavelength at 75 °C operating temperatures. Consequently, excellent selectivity for 370 nm UV illumination can be ascribed as due to thermal annealing effect which increases the crystallinity, grain size, and roughness of the sensing film. The PL measurements reveals the suppression of structural defects, increase in intensity after annealing and enhanced UV response due to presence of Al content in films. Overall, these structures showed magnificent UV properties, before and especially after additional thermal annealing. UV sensing mechanism of such nanomaterial-based sensor were explained with physio-chemical processes take place on the surface of these structures. The obtained results on annealed ZnO:Al films-based devices is superior to reported performances of other nanostructures, proving new results for UV sensing applications at different operating temperatures in various fields. en_US
dc.description.abstract Scopul acestui studiu a fost de a dezvolta un senzor UV de putere redusă, foarte selectiv, pentru a monitoriza continuu expunerea personalizată la UV, precum și pentru a studia efectul de recoacere asupra proprietăților de detectare UV a senzorilor. Structurile ZnO:Al au fost obținute prin metoda de creștere chimică urmată de recoacere termică la 625°C timp de 2 ore. Probele studiate prezintă un răspuns UV maxim de 620/488 la 25 °C/50 °C până la 370 nm radiații UV înainte/după recoacere, respectiv. Recoacere termică a senzorului (250 °C timp de 1 oră) a condus la îmbunătățirea timpului de cădere de la 3860 de secunde la 262 de secunde la 25 °C și cea mai mare capacitate de răspuns (~48 mA/W) a rezultat pentru o lungime de undă de 370 nm la temperaturi de funcționare de 75 °C. În consecință, selectivitatea excelentă pentru iluminarea UV de 370 nm poate fi atribuită ca fiind datorată efectului de recoacere termică care crește cristalinitatea, dimensiunea granulelor și rugozitatea filmului de detectare. Măsurătorile PL relevă suprimarea defectelor structurale, creșterea intensității după recoacere și răspunsul UV îmbunătățit datorită prezenței conținutului de Al în pelicule. În general, aceste structuri au arătat proprietăți UV magnifice, înainte și mai ales după recoacere termică suplimentară. Mecanismul de detectare UV al unui astfel de senzor pe bază de nanomateriale a of st explicat cu procesele fizico-chimice care au loc pe suprafața acestor structuri. Rezultatele obținute pe dispozitivele pe bază de filme recoapte ZnO:Al sunt superioare performanțelor raportate ale altor nanostructuri, dovedind rezultate noi pentru aplicațiile de detectare UV la diferite temperaturi de funcționare în diferite domenii. en_US
dc.language.iso en en_US
dc.publisher Technical University of Moldova en_US
dc.relation.ispartofseries Journal of Engineering Science;2023, Vol. 30, Nr. 4
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject UV sensors en_US
dc.subject heterostructures en_US
dc.subject semiconductor oxide en_US
dc.subject oxizi semiconductori en_US
dc.subject heterostructuri en_US
dc.subject senzori UV en_US
dc.title Annealing effect on UV detection properties of ZnO:Al structures en_US
dc.title.alternative Efect de recoacere asupra proprietăților de detectare UV a structurilor ZnO:AL en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Browse

My Account