Sistem informaţional de prelucrare şi înregistrare a parametrilor stratului epitaxial din GaAs

Abstract

În lucrare se prezintă un sistem informaţional destinat pentru măsurarea în regim automat a profilului de distribuţie a impurităţilor în adâncimea structurilor epitaxiale din arsenură de galiu, cu afişarea pe ecranul monitorului, înregistrarea în baza de date şi imprimarea parametrilor măsuraţi sub formă de blanc standard. În blanc sunt incluse următorele date: concentraţia purtătorilor de sarcină, grosimea stratului epitaxial, tensiunea de străpungere şi rezistenţa specifică. Măsurarea se efectuează în baza metodei caracteristicilor volt-faradice.