Mecanismul şi rolul factorului cuantic în procesul de difuzie stimulată de fotoni a Zn în GaAs şi InP

Abstract

În lucrare se propune modelul fizico-matematic în baza căruia sunt analizate şi calculate dependenţa coeficientului de difuziune stimulată de fotoni D(λ) a Zn în GaAs. Datele calculate corespund celor experimentale şi arată că coeficientul de difuziune stimulată de fotoni creşte odată cu creşterea energiei cuantice ori cu micşorarea lungimii de undă a luminii. Rezultatele obţinute pot fi utilizate pentru optimizarea proceselor tehnologice cu tratamentul fototermic rapid de obţinere a joncţiunilor p-n, inclusiv a celulelor fotovoltaice în baza semiconductorilor.