Procedeu de obţinere a nanofirelor semiconductoare cu bandă interzisă largă pe un suport semiconductor cu bandă interzisă îngustă

Abstract

Invenţia se referă la tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în special la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratament electrochimic, care pot fi folosite în microelectronică, optoelectronică şi nanoelectronică. Procedeul, conform invenţiei, constă în fabricarea nanofirelor de GaAs sau InP prin metoda anodizării suportului semiconductor de nGaAs sau nInP în electrolit, după care suportul cu nanofirele fabricate se supune tratamentului termic la temperatura de 900°C, timp de 60 min, în atmosferă inertă de flux de Ar cu un conţinut de oxigen de 3%, până la obţinerea pe suportul de GaAs sau InP a nanofirelor de Ga2O3 sau In2O3, corespunzător.

The invention relates to the nanostructured materials production technology, in particular to processes for producing nanostructures by electrochemical processing, which can be used in microelectronics, optoelectronics and nanoelectronics. The process, according to the invention, consists in the production of GaAs or InP nanowires by the method of anodizing the nGaAs or nInP semiconductor substrate in electrolyte, after which the substrate with the produced nanowires is subjected to heat treatment at a temperature of 900°C for 60 min, in an inert atmosphere of an Ar flow with a content of 3% oxygen, until the production on the GaAs or InP substrate of Ga2O3 or In2O3 nanowires, respectively.

Изобретение относится к технологии производства наноструктурированных материалов, в частности, к способам получения наноструктур путем электрохимической обработки, которые могут применяться в микроэлектронике, оптоэлектронике и наноэлектронике. Способ, согласно изобретению, заключается в изготовлении нанонитей GaAs или InP методом анодирования полупроводниковой подложки nGaAs или nInP в электролите, после чего подложку с изготовленными нанонитями подвергают термообработке при температуре 900°С, в течение 60 мин, в инертной атмосфере потока Ar с содержанием 3% кислорода, до получения на подложке GaAs или InP нанонитей Ga2O3 или In2O3, соответственно.