Senzor de radiaţie ultravioletă în baza nano-structurilor GaN

Abstract

Senzorul este confecţionat în baza nano-structurilor GaN cu joncţiune p-n profilată şi capacitate variabilă în funcţie de tensiunea aplicată şi intensitatea radiaţiei ultraviolete incidente. Avantajele constau în sensibilitate nulă faţă de radiaţia vizibilă şi infraroşie şi sensibilitate majoră faţă de radiaţia ultravioletă în comparaţie cu analoagele existente.

The sensor is manufactured based on GaN nanostructures with profiled p-n junction and variable capacity as a function of the applied voltage and intensity of incident ultraviolet radiation. The null sensibility to the visible and infrared radiation and major sensibility to the ultraviolet radiation in comparison to the existing analogues is an advantage.