Fotodiodă selectivă cu sensibilitate modulată

Abstract

Invenţia se referă la tehnica cu semiconductori, în particular la fotodiode, şi poate fi utilizată în sistemele optoelectronice pentru detectarea, înregistrarea şi transformarea semnalelor optice transmise prin fibre optice, prin atmosferă sau prin alte medii optice. Esenţa invenţiei constă în aceea că fotodioda selectivă cu sensibilitate modulată pe baza heterosrtucturilor compuşilor III–V conţine un substrat cu bandă energetică interzisă Eg0, pe care sunt depuse consecutiv un strat activ intrinsec cu Eg1, un strat frontal cu Eg2, grosimea căruia este mai mare decât lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină minoritari şi în care la heterograniţa cu stratul activ este formată prima joncţiune p-n, şi unstrat antireflectant cu Eg3, totodată Eg1<Eg2<Eg0<Eg1<Eg2<Eg0.

The invention refers to the semiconductor engineering, namely to photodiodes, and may be used in the optoelectronic systems for detection, recording and transduction of optical signals transmitted by optical fibers, atmosphere or other optical media. Summary of the invention consists in that the selective photodiode with modulated sensibility on base of the compounds III-V heterostructure contains a support with the band-gap energy Eg0, onto which there are consecutively applied an active layer having intrinsic conduction with Eg1, a frontal layer with Eg2, the thickness of which is greater than the diffusion length of the minority carriers wherein on the heteroborder with the active layer it is formed the first p-n junction and an antireflection layer with Eg3, moreover Eg1<Eg2<Eg0<Eg1<Eg2<Eg0.