Dispozitiv şi metodă de măsurare a rezistenţei senzorilor pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi

Abstract

Invenţia se referă la domeniul tehnicii de măsurare şi poate fi utilizată în aparate de măsurat, în care se utilizează senzori pe bază de oxizi semiconductori nano-structuraţi. Dispozitivul de măsurare a rezistenţei senzorilor pe bază de oxizi semiconductori nano-structuraţi include o sursă de tensiune de referinţă conectată la un voltmetru şi unită în serie cu senzorul nano-structurat cercetat şi cu un rezistor suplimentar, la nodul de conectare a căruia cu senzorul este conectată intrarea unui amplificator. Ieşirea amplificatorului este conectată la un voltmetru, totodată rezistorul, nodurile comune ale sursei de tensiune de referinţă, amplificatorul şi voltmetrele sunt conectate la masă. Metoda de măsurare a rezistenţei senzorilor pe bază de oxizi semiconductori nano-structuraţi constă în aceea că se măsoară tensiunea U1 a sursei de tensiune de referinţă, se măsoară tensiunea U3 pe rezistorul suplimentar, se calculează valoarea tensiunii care cade pe senzorul cercetat conform formulei Ux=U1-U3, şi se calculează valoarea curentu-lui care trece prin senzorul cercetat conform formulei Ix=U3/R3. Calcularea valorii rezistenţei senzorului Rx se efectuează conform legii lui Ohm, utilizând valorile obţinute Ux şi Ix.

The invention relates to the field of measuring equipment and can be used in measuring apparatuses that use sensors based on nanostructured semiconductor oxides. The device for measuring the resistance of sensors based on nanostructured semiconductor oxides comprises a reference voltage source, connected to a voltmeter and connected in series to the test nanostructured sensor and to an additional resistor, to the connecting node point of which to the sensor is connected the input of an amplifier. The output of the amplifier is connected to a voltmeter, while the resistor, the common node points of the reference voltage source, the amplifier and the voltmeters are connected to ground. The method for measuring the resistance of sensors based on nanostructured semiconductor oxides consists in that it is measured the U1 voltage of the reference voltage source, is measured the U3 voltage on the additional resistor, is calculated the voltage value that falls on the test sensor according to the formula Ux=U1-U3, and is calculated the amount of current passing through the test sensor according to the formula Ix=U3/R3. Calculation of Rx sensor resistance value is performed in accordance with Ohm’s law, using the obtained values Ux and Ix.