Procedeu de obţinere a cristalului fotonic pe semiconductor

Abstract

Invenţia se referă la optoelectronică, în particular la procedeele de obţinere a cristalului fotonic pe semiconductor. Procedeul de obţinere a cristalului fotonic pe semiconductor include decaparea electrochimică a cel puţin uneia din suprafeţele lui. Noutatea invenţiei constă în aceea că decaparea electrochimică are loc la aplicarea tensiunii periodic variabile, caracterizată de semnale dreptunghiulare cu frontul sub formă de trepte.

The invention relates to the optoelectronics, in particular to processes for photon semiconductor crystal obtaining. The process for photon semiconductor crystal obtaining includes the electrochemical pickling of at least one of its surfaces. Novelty of the invention consists in that the electrochemical pickling is carried out at the application of the periodically variable voltage, characterized by rectangular signals with stepped front.