Invenţia se referă la optoelectronică, în special la lasere pe bază de semiconductori cu rezonatoare aleatorii. Laserul cu semiconductori cu rezonatoare aleatorii include o fază de emitere şi amplificare a radiaţiei electromagnetice şi o fază de difuziune a radiaţiei electromagnetice. Noutatea invenţiei constă în aceea că ambele faze sunt executate poroase, totodată porii se propagă în direcţii radiale de la punctele lor de nucleere, iar în regiunea de intersecţie a lor sunt formate domene cu o concentraţie mai mare a porilor.
The invention relates to the optoelectronics, in particular to semiconductor lasers with changeable resonators. The semiconductor laser with changeable resonators contains an electromagnetic radiation emitting and amplifying phase and an electromagnetic radiation diffusing phase. Novelty of the invention consists in that both phases are made porous, at the same time the pores are radially propagated from their points of nucleation, and in the region of their intersection there are formed domains with a greater concentration of pores.