Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor, în special la senzori de gaze pe semiconductori de tip rezistiv. Senzorul de gaze pe semiconductori include un substrat, pe una din suprafeţele căruia este amplasat un strat senzitiv la gaze cu contacte metalice ohmice depuse pe el, iar pe suprafaţa opusă - un element încălzitor. Noutatea invenţiei constă în aceea că stratul senzitiv conţine regiuni cu diferite morfologii, care au sensibilitate preferenţială la diferite gaze.
The invention relates to the field of semiconductor engineering, in particular to the semiconductor gas sensors of resistive type. The semiconductor gas sensor includes a substrate, onto the surface of one side of which there is placed a gassensitive layer with ohmic metallic contacts, deposited thereon, and onto the surface of the opposite side – a heater. Novelty of the invention consists in that the gas-sensitive layer contains regions with different morphology, possessing preferential sensibility to different gases.
Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2025.08.10.