Электроуправляемые светочувствительные структуры на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников

АНДРИЕШ, А. М.; ЦИУЛЯНУ, Д. И.; ТРИДУХ, Г. М.

dc.contributor.author	АНДРИЕШ, А. М.
dc.contributor.author	ЦИУЛЯНУ, Д. И.
dc.contributor.author	ТРИДУХ, Г. М.
dc.date.accessioned	2021-01-22T11:23:26Z
dc.date.available	2021-01-22T11:23:26Z
dc.date.issued	1983
dc.identifier.citation	АНДРИЕШ, А. М., ЦИУЛЯНУ, Д. И., ТРИДУХ, Г. М. Электроуправляемые светочувствительные структуры на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников. In: Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki. 1983, V. 53, Iss. 4, pp. 715–718. ISSN 0044-4642.	en_US
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/12541
dc.description.abstract	Представлены результаты экспериментального исследования процесса записи изображения на электроуправляемых тонкослойных структурах халькогенидный стеклообразный полупроводник—металл. Показано, что светочувствительность структур определяется величиной электрического поля, интенсивностью падающего излучения и толщиной металлического покрытия. Наблюдаемый пороговый характер зависимости светочувствительности от приложенного напряжения и отклонение от закона взаимозаместимости в области больших интенсивностей падающего света интерпретируются в рамках модели, предполагающей перенос вещества ионными носителями тока через потенциальный барьер на границе халькогенидный стеклообразный полупроводник—металл.	en_US
dc.language.iso	ru	en_US
dc.publisher	Ioffe Institute, RAS	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	изображения	en_US
dc.subject	полупроводники	en_US
dc.subject	semiconductors	en_US
dc.title	Электроуправляемые светочувствительные структуры на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников	en_US
dc.type	Article	en_US