Особенности валентных зон некоторых соединений AIIBV

СЫРБУ, Н. Н.; КАМЕРЦЕЛЬ, А. Ю.; СТАМОВ, И. Г.

dc.contributor.author	СЫРБУ, Н. Н.
dc.contributor.author	КАМЕРЦЕЛЬ, А. Ю.
dc.contributor.author	СТАМОВ, И. Г.
dc.date.accessioned	2020-12-21T14:30:58Z
dc.date.available	2020-12-21T14:30:58Z
dc.date.issued	1992
dc.identifier.citation	СЫРБУ, Н. Н., КАМЕРЦЕЛЬ, А. Ю., СТАМОВ, И. Г. Особенности валентных зон некоторых соединений AII BV. In: Физика и техника полупроводников, 1992, V. 26, Iss. 4, pp. 669–681. ISSN 0015-3222.	en_US
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/12248
dc.description.abstract	Исследованы оже-спектры поверхностей кристаллов.Разработана модель и восстановлены «истинные» оже-линии элементов (Zn, Cd, As. Р) по дифференциальным спектрам. Получено распределение плотности занятых состояний в валентной зоне. Показано, что валентная зона в соединениях Z11P2, ZnAs2> CdP2 и CdP4 состоит из групп зон (подзон), максимумы плотности занятых состояний в которых разделены на различные величины. Определены величина расщепления валентных зон. Показано, что восстановленные оже-линии в совокупности с рентгеновскими спектрами представляют информацию о формировании валентной зоны 5- или Р-состояниями цинка или фосфора.	en_US
dc.language.iso	ru	en_US
dc.publisher	Ioffe Institute	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	crystasls	en_US
dc.subject	кристаллы	en_US
dc.title	Особенности валентных зон некоторых соединений AIIBV	en_US
dc.type	Article	en_US