DSpace Repository

Пропускание ультракоротких импульсов лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в условиях возбуждения экситонов и биэкситонов

Show simple item record

dc.contributor.author КОРОВАЙ, А. В.
dc.contributor.author МАНГИР, А. Г.
dc.contributor.author ХАДЖИ, П. И.
dc.date.accessioned 2020-05-04T09:49:39Z
dc.date.available 2020-05-04T09:49:39Z
dc.date.issued 2018
dc.identifier.citation КОРОВАЙ, А. В., МАНГИР, А. Г., ХАДЖИ, П. И. Пропускание ультракоротких импульсов лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в условиях возбуждения экситонов и биэкситонов. In: Telecomunicaţii, Electronică şi Informatică: proc. of the 6th intern. conf., May 24-27, 2018. Chişinău, 2018, pp. 80-84. ISBN 978-9975-45-540-4. en_US
dc.identifier.isbn 978-9975-45-540-4
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/8057
dc.description.abstract Рассмотрена задача нестационарного пропускания двух падающих на тонкую пленку ультракоротких импульсов лазерного излучения. Один из падающих импульсов находится в резонансе с двухфотонным переходом из основного состояния кристалла в биэкситонное, тогда как другой когерентно смешивает экситонное и биэкситонное состояния. Исследовано влияние амплитуд и ширин падающих импульсов на особенности их пропускания пленкой. Предсказан эффект существенной временной задержки в генерации проходящего через пленку импульса относительно падающего. Доказана возможность генерации прекурсора, т.е. импульса, проходящего через пленку раньше, чем пик падающего импульса достигнет пленки, а также возможность генерации отраженного импульса в отсутствии падающего. en_US
dc.language.iso ru en_US
dc.publisher Tehnica UTM en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject ультракороткие импульсы en_US
dc.subject полупроводники en_US
dc.subject экситоны en_US
dc.subject биэкситоны en_US
dc.subject тонкие пленки en_US
dc.title Пропускание ультракоротких импульсов лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в условиях возбуждения экситонов и биэкситонов en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account