Nanoarhitecturi bi- şi tridimensionale în baza GaN pentru aplicaţii inginereşti

Abstract

Obiectivele lucrării: Identificarea condițiilor tehnologice de creare a nanomembranelor ultrasubțiri integral suspendate în baza GaN și elaborarea de dispozitive electronice, fotonice și senzorice. Identificarea condițiilor tehnologice de nanostructurare în volum a straturilor subțiri de GaN crescut MOCVD și a substraturilor de GaN crescute HVPE pentru crearea structurilor ordonate 3D. Evaluarea influenței nanoparticulelor în baza materialelor semiconductoare asupra celulelor vii. Identificarea gradului de toxicitate a nanoparticulelor în dependență de compoziția chimică, concentrație sau stare (liberă în lichid sau fixate pe suprafața unui substrat). Identificarea condițiilor tehnologice de obținere a nanoarhitecturilor în baza GaN distribuite spațial și stabile în mediile lichide pentru evitarea aglomerării acestora.