Luminescenţa compuşilor ternari sub influenţa electronilor acceleraţi şi razelor X

Abstract

Se descrie tehnologia de creştere a semiconductorilor tripli de tipul АIIB2IIIC4IV, în special CdGa2S4 şi instalaţia de cercetări asupra proprietăţilor luminescente sub acţiunea electronilor acceleraţi şi razelor X. Este expusă metodica de prelucrare a spectrelor experimentale. Se face analiza comparativă a benzilor de catodoluminescenţă în relaţie cu modul şi condiţiile de excitare. S-a făcut o analiză complexă a proprietăţilor catodoluminescente a tiogalatului de cadmiu în intervalul de energii 1,0 : 3,8 eV.

This article focuses on the description of triple semiconductors of АIIB2IIIC4IV type, especially CdGa2S4, and the research installation over luminescent properties under the action of accelerated electrons and X rays. The method of processing the experimental spectra is exposed as well as the comparative analysis of cathodoluminescence belts being in with excitation way and conditions for the first time a complex analysis was made regarding the cathodoluminescent properties of within the energy interval l1,0 : 3,8 eV.

On décrit la technologie de la croissance des semi-conducteurs triples des type АIIB2IIIC4IV,en particulièrement CdGa2S4, et l’installation des recherches concernent les propriétés luminescentes sur l’action des électrons accélérés et des rayons X. Il est exposé la méthodique des spectres expérimentales. On fait l’analyse comparative des bandes catodoluminescence en fonction des méthodes d’excitation. On a fait une analyse complexe des propriétés catodoluminescente dans l’intervalle des énergies 1,0 : 3,8 eV.

Описывается технология выращивания тройных полупроводников типа АIIB2IIIC4IV, в частности для соединения CdGa2S4 (тиогаллат кадмия), и установка для исследования люминесцентных свойств при возбуждении ускоренными электронами и Х - лучами. Представлено методика обработки экспериментальных данных. Делается анализ спектров катодолюминесценции тиогаллата кадмия в широком интервале энергий 1,0 : 3,8 eV на основе, которого строится схема энергетических уровней в зоне запрещенных энергий.