DSpace Repository

Мe-ZnP2 diode sensible to optical gyration

Show simple item record

dc.contributor.author STAMOV, I.G.
dc.contributor.author SYRBU, N.N.
dc.contributor.author DOROGAN, A.V.
dc.contributor.author NEMERENCO, L.L.
dc.date.accessioned 2023-12-04T12:02:08Z
dc.date.available 2023-12-04T12:02:08Z
dc.date.issued 2019
dc.identifier.citation STAMOV, I.G., SYRBU, N.N., DOROGAN, A.V., NEMERENCO, L.L. Мe-ZnP2 diode sensible to optical gyration. In: The 23th international exhibition of inventions INVENTICA 2019, Iasi, Romania, 2019, p. 292. ISSN:1844-7880. en_US
dc.identifier.issn 1844-7880
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/25151
dc.description Patent / patent application Nr. Pending patent. en_US
dc.description.abstract Dispozitivul reprezintă o diodă Schottky bazată pe o structură Me-ZnP2, obținută prin depunerea electrochimică a metalului și prin pulverizarea termochimică în vid. Principiul de funcționare se bazează pe efectul girotropieiopticeși polarizabilitatea neliniarăa cristalului în intervalul de lungimi de undă de 450-800nm.Caracteristicile fotoelectrice ale diodei și fotocurentul depind de polarizarea radiației incidente și a tensiunii aplicate.Dispozitivul poate fi utilizat pentru studiereadispersiei modalede polarizare, orientarea exactă a obiectelor în spațiu și alte aplicații din industrie. en_US
dc.description.abstract The device represents a Schottky diode based on Ме- ZnP2structure obtained by electrochemical deposition of metal and by thermo-chemical spraying in vacuum. The operating principle is based on optical gyrotropy effect and nonlinear crystal polarizability in the wavelength range 450- 800nm. The diode’s LIV characteristics and photocurrent depend on the polarization of incident light and applied voltage. The device can be used for studying the polarization modedispersion, exact orientation of objects in space and other industry applications. en_US
dc.language.iso en en_US
dc.publisher Technical University "Gheorghe Asachi" of Iași en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject diodă Schottky en_US
dc.subject structură Me-ZnP2 en_US
dc.subject pulverizare termochimică în vid en_US
dc.subject Schottky diode en_US
dc.subject Ме - ZnP2 structure en_US
dc.subject thermo-chemical spraying in vacuum en_US
dc.title Мe-ZnP2 diode sensible to optical gyration en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

  • 2019
    The 23rd International Exhiibiitiion of Inventiions, 26th - 28th June, Iași, România

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account