DSpace Repository

Procedeu de obţinere a nanofirelor semiconductoare cu bandă interzisă largă pe un suport semiconductor cu bandă interzisă îngustă

Show simple item record

dc.contributor.author MONAICO, Elena
dc.contributor.author MONAICO, Eduard
dc.contributor.author URSACHI, Veaceslav
dc.contributor.author TIGHINEANU, Ion
dc.date.accessioned 2023-11-23T07:25:18Z
dc.date.available 2023-11-23T07:25:18Z
dc.date.issued 2023-09-30
dc.identifier.citation MONAICO Elena, MONAICO Eduard, URSACHI Veaceslav et al. Procedeu de obţinere a nanofirelor semiconductoare cu bandă interzisă largă pe un suport semiconductor cu bandă interzisă îngustă. Brevet MD 4868, CIB B82B 1/00, B82B 3/00, B82Y 30/00, B82Y 40/00, H01L 21/3063, H01L 21/477. Universitatea de Stat din Moldova. Nr. depozit: a 2021 0054. Data depozit: 2021.08.06. Data public.: 2021.11.30. In: BOPI. 2021, nr. 11. en_US
dc.identifier.other Nr. depozit: a 2021 0054
dc.identifier.uri http://www.db.agepi.md/Inventions/details/a%202021%200054
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/24973
dc.description.abstract Invenţia se referă la tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în special la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratament electrochimic, care pot fi folosite în microelectronică, optoelectronică şi nanoelectronică. Procedeul, conform invenţiei, constă în fabricarea nanofirelor de GaAs sau InP prin metoda anodizării suportului semiconductor de nGaAs sau nInP în electrolit, după care suportul cu nanofirele fabricate se supune tratamentului termic la temperatura de 900°C, timp de 60 min, în atmosferă inertă de flux de Ar cu un conţinut de oxigen de 3%, până la obţinerea pe suportul de GaAs sau InP a nanofirelor de Ga2O3 sau In2O3, corespunzător. en_US
dc.description.abstract The invention relates to the nanostructured materials production technology, in particular to processes for producing nanostructures by electrochemical processing, which can be used in microelectronics, optoelectronics and nanoelectronics. The process, according to the invention, consists in the production of GaAs or InP nanowires by the method of anodizing the nGaAs or nInP semiconductor substrate in electrolyte, after which the substrate with the produced nanowires is subjected to heat treatment at a temperature of 900°C for 60 min, in an inert atmosphere of an Ar flow with a content of 3% oxygen, until the production on the GaAs or InP substrate of Ga2O3 or In2O3 nanowires, respectively. en_US
dc.description.abstract Изобретение относится к технологии производства наноструктурированных материалов, в частности, к способам получения наноструктур путем электрохимической обработки, которые могут применяться в микроэлектронике, оптоэлектронике и наноэлектронике. Способ, согласно изобретению, заключается в изготовлении нанонитей GaAs или InP методом анодирования полупроводниковой подложки nGaAs или nInP в электролите, после чего подложку с изготовленными нанонитями подвергают термообработке при температуре 900°С, в течение 60 мин, в инертной атмосфере потока Ar с содержанием 3% кислорода, до получения на подложке GaAs или InP нанонитей Ga2O3 или In2O3, соответственно. en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală en_US
dc.rights Brevet acordat en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject brevete de invenţie en_US
dc.subject materiale nanostructurate en_US
dc.subject nanostructuri en_US
dc.subject tratament electrochimic en_US
dc.subject nanofire de arseniura de galiu en_US
dc.subject nanofire de fosfură de indiu en_US
dc.subject nanostructures en_US
dc.subject electrochemical processing en_US
dc.subject gallium arsenide nanowires en_US
dc.subject indium phosphide nanowires en_US
dc.subject наноструктуры en_US
dc.subject электрохимическоая обработка en_US
dc.subject нанонити арсенида галлия en_US
dc.subject нанонити фосфида индия en_US
dc.subject.classification IPC: B82B 1/00 (2011.01) en_US
dc.subject.classification IPC: B82B 3/00 (2011.01) en_US
dc.subject.classification IPC: B82Y 30/00 (2011.01) en_US
dc.subject.classification IPC: B82Y 40/00 (2011.01) en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 21/3063 (2011.01) en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 21/477 (2011.01) en_US
dc.title Procedeu de obţinere a nanofirelor semiconductoare cu bandă interzisă largă pe un suport semiconductor cu bandă interzisă îngustă en_US
dc.type Patent en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Brevet acordat Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet acordat

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account