DSpace Repository

Procedeu de obţinere a fotodetectorului de radiaţie infraroşie în baza nanofirului de GaAs

Show simple item record

dc.contributor Universitatea Tehnică a Moldovei
dc.contributor.author MONAICO, Eduard
dc.contributor.author URSACHI, Veaceslav
dc.contributor.author MONAICO, Elena
dc.contributor.author TIGHINEANU, Ion
dc.date.accessioned 2023-09-27T10:47:25Z
dc.date.available 2023-09-27T10:47:25Z
dc.date.issued 2023-08-31
dc.identifier.citation MONAICO, Eduard, URSACHI, Veaceslav, MONAICO, Elena et al. Procedeu de obţinere a fotodetectorului de radiaţie infraroşie în baza nanofirului de GaAs. Brevet MD 4867, CIB B82B 1/00, B82B 3/00, B82Y 40/00, H01L 21/3063, H01L 31/08, H01L 31/09. Universitatea Tehnică a Moldovei. Nr. depozit: a 2020 0054. Data depozit: 2020.06.09. Data public.: 2023.08.31. en_US
dc.identifier.other Nr. depozit: a 2020 0054
dc.identifier.uri http://www.db.agepi.md/Inventions/details/a%202020%200054
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/24298
dc.description Fişierul ataşat conţine extrasul din Registrul Naţional Brevet de Inventie en_US
dc.description.abstract Invenţia se referă la optoelectronică, în particular la fotodetectoare de radiaţie infraroşie. Fotodetectorul de radiaţie infraroşie include un nanofir de GaAs şi contacte metalice. Totodată, nanofirul este fabricat prin anodizarea unei plachete de GaAs, iar la capetele nanofirului sunt formate contacte ohmice de Cr/Au prin depunere cu utilizarea litografiei cu fascicul laser. en_US
dc.description.abstract Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к фотоприемникам инфракрасного излучения. Фотоприемник инфракрасного излучения включает нанонить GaAs и металлические контакты. При этом, нанонить изготовлена путем анодирования пластины GaAs, а на концах нанонити сформированы омические контакты Cr/Au путем осаждения с применением литографии лазерным пучком. en_US
dc.description.abstract The invention relates to optoelectronics, in particular to infrared radiation photodetectors. The infrared radiation photodetector comprises a GaAs nanowire and metal contacts. At the same time, the nanowire is made by anodizing a GaAs wafer, and at the ends of the nanowire are formed ohmic Cr/Au contacts by deposition using laser beam lithography. en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală en_US
dc.rights Brevet acordat. en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject brevete de invenţie en_US
dc.subject fotodetectoare de radiaţie infraroşie en_US
dc.subject фотоприемники инфракрасного излучения en_US
dc.subject infrared radiation photodetectors en_US
dc.subject.classification IPC: B82B 1/00 (2011.01) en_US
dc.subject.classification IPC: B82B 3/00 (2011.01) en_US
dc.subject.classification IPC: B82Y 40/00 (2011.01) en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 21/3063 (2006.01) en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 31/08 (2006.01) en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 31/09 (2006.01) en_US
dc.title Procedeu de obţinere a fotodetectorului de radiaţie infraroşie în baza nanofirului de GaAs en_US
dc.type Patent en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Brevet acordat. Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet acordat.

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account