dc.contributor.author | DOROGAN, Valerian | |
dc.contributor.author | TIGHINEANU, Ion | |
dc.contributor.author | VIERU, Stanislav | |
dc.contributor.author | VIERU, Tatiana | |
dc.contributor.author | DOROGAN, Andrei | |
dc.contributor.author | SECRIERU, Vitalie | |
dc.date.accessioned | 2022-10-10T12:57:27Z | |
dc.date.available | 2022-10-10T12:57:27Z | |
dc.date.issued | 2007 | |
dc.identifier.citation | DOROGAN, Valerian, TIGHINEANU, Ion, VIERU, Stanislav et al. Dispozitive optoelectronice în baza semiconductorilor nanostructuraţi. In: INFOINVENT-2007. Expoziţia Internaţională Specializată = International Specialized Exhibition, 27-30 iunie 2007: Catalog oficial, Chişinău, Republica Moldova, 2007, p. 60. | en_US |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/21508 | |
dc.description | Brevete:MD 1932, 1954, 1994, 2013, 2131. Secţiunea D. Energie, electricitate, electronică, telecomunicaţii, tehnologii audio şi video. Calculatoare, programe, echipamente, birotică. Energy, electricity, electronics, telecommunications, audio-video technique. Computers, programs, equipment, logistics | en_US |
dc.description.abstract | Este prezentat un set de dispozitive optoelectronice (fotorezistori, fotodiode, celule solare) confecţionate pe baza peliculelor nanostructurate din GaP, InP şi Si. Fotoreceptorii funcţionează pe baza purtătorilor de sarcină majoritari, ceea ce exclude pierderile electrice prin recombinare la suprafaţă şi în volumul peliculei. Semnalul de ieşire nu depinde de timpul de viaţă şi lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari, de viteza superficială de recombinare şi de viteza de generare termică a purtătorilor de sarcină. Avantajele fotoreceptorilor constau în: curenţi de întuneric şi coeficient de umbrire egali cu zero; sensibilitate sporită. | en_US |
dc.description.abstract | It is represented a set of optoelectronic apparatuses (photoresistors, photodiodes, solar cells) manufactured on basis of nanostuctured pellicles of GaP, InP and Si. The photo receptors work on basis of the majority charge and in the pellicle volume. The output signal does not depend of the carrier longevity and diffusion duration, of the recombination superficial velocity and of the heat generation of the charge carrier. The advantages consist in that the dusk currents and shading coefficient are equal to zero; the sensibility is reliable. | en_US |
dc.language.iso | en | en_US |
dc.language.iso | ro | en_US |
dc.publisher | Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova (AGEPI) | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | invenţii | en_US |
dc.subject | inventions | en_US |
dc.subject | dispozitive optoelectronice | en_US |
dc.subject | semiconductori nanostructuraţi | en_US |
dc.title | Dispozitive optoelectronice în baza semiconductorilor nanostructuraţi | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: