Об одном способе создания высокой плотности долгоживущих экситонов Γ+2 в кристалле Cu2O

Abstract

Кристалл Си20 является благоприятным объектом для наблюдения БЭК экситонов. Экситон желтой серии с п~1 состоит из электрона в зоне проводимости Г. и дырки в валентной зоне Г7. Обменное взаимодействие электрона и дырки расщепляет этот уровень на два уровня с симметрией Г5 (ортоэкситон) и (параэкситон). Уровень Г. квадрупольно активен, а квадрупольно активные переходы в состояния возгораются только в магнитном поле. Дипольные переходы в эти состояния в свободном кристалле возможны только с участием фононов. Переход в состояние Г| происходит только с участием фонона Г5. Вероятность перехода в состояние Г5 наибольшая при участии фонона Г 3 . Отношение эффективных масс электрона и дырки, а также их обменное взаимодействие таковы, что биэкситон в Си20, по-видимому, не образуется.