Mathematical Model of the Alloying Process at The Epitaxial Semiconductor Structure Growth

Abstract

În această lucrare este prezentat modelul matematic al procesului de aliere cu GaAs a straturilor epitaxiale obţinute în sistemul Ga-AsCl3-H2 cu transport de reacţii. Controlul în sistemul automat se realizează prin reglarea temperaturii dopanţilor de Zn/Te care alimeantează cu fluxul de vapori camera reactorului. Fluxul de vapori generat în camera reactorului. Fluxul de vapori generat în camera sursei este transportat de fluxul de hidrogen şi ajunge în zona de creştere a straturilor epitaxiale cu o reţinere. În sistemul automat parametrul de optimizare este timpul de umplere cu vapori a reactorului şi timpul de evacuare.

In this paper is presented the mathematical model of the alloying process of GaAs epitaxial layers the transport reactions in the Ga-AsCl3-H2 system. The automatic control system (ACS) works by temperature measurement of alloying substance (Zn/Te). The vapour flux, generated in the chamber of alloying source and transported in the reactor by the hydrogen flow, it is arrived in the growing zone with a delay. In this technological process the optimization parameters are the time of the reactor filling with vapour and the time of evacuation after the vapour flow is interrupted.