DSpace Repository

Criotron acustoelectronic cu timpul de comutare restructurabil

Show simple item record

dc.contributor Universitatea Tehnică a Moldovei
dc.contributor.author NISTIRIUC, Pavel
dc.contributor.author ŢURCANU, Dinu
dc.contributor.author ALEXEI, Anatolie
dc.contributor.author BEREGOI, Eugen
dc.date.accessioned 2021-04-13T10:11:50Z
dc.date.available 2021-04-13T10:11:50Z
dc.date.issued 2002-03-31
dc.identifier.citation NISTIRIUC, Pavel, ŢURCANU, Dinu, ALEXEI, Anatolie et al. Criotron acustoelectronic cu timpul de comutare restructurabil. Brevet MD 1889, H01L 41/08. Universitatea Tehnică a Moldovei. Nr. depozit: a 2001 0061. Data depozit: 2001.03.14. Data public.: 2002.03.31. en_US
dc.identifier.other Nr. depozit: a 2001 0061
dc.identifier.uri http://www.db.agepi.md/Inventions/details/a%202001%200061
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/14133
dc.description.abstract Invenţia se referă la domeniul electronicii şi este destinată dispozitivelor de memorie şi de comutare utilizate în tehnica de calcul şi de comutare. Dispozitivul conţine o bază din Pb pe care sunt depuse succesiv un strat de absorbţie a undelor acustice de suprafaţă, un strat redresor din ceramică supraconductoare YBa2Cu3O7, un strat de dirijare din piezocristal GaAs în centrul căruia este depus un traductor interdigital din Cr-Al, iar între straturile redresor şi de dirijare sunt depuse contacte din Cr-Cu. Contactele din Cr-Cu sunt amplasate pe perimetrul unei circumferinţe şi conţin contacte longitudinale, amplasate de-a lungul axei cristalografice c a compusului YBa2Cu3O7, care coincid cu direcţia de propagare a undelor acustice de suprafaţă; contacte transversale, amplasate perpendicular axei cristalografice c a compusului YBa2Cu3O7, care sunt perpendiculare direcţiei de propagare a undelor acustice de suprafaţă; contacte intermediare, amplasate pe perimetrul circumferinţei între contactele longitudinale şi cele transversale. en_US
dc.description.abstract The invention refers to the field of electronics and is provided for the manufacture of storage commutation devices, utilized in computer and commutation engineering. The device contains a base of Pb, onto which there are successively deposited a layer, absorbing the acoustic surface waves, a barrier layer of superconducting ceramics YBa2Cu3O7, and a controlling layer of piezocrystal GaAs, in the centre of which it is deposited an anti-pin converter of Cr-Al, between the barrier and the controlling layers being deposited contacts of Cr-Cu. The contacts of Cr-Cu are placed around the edges of a circumference and consist of longitudinal contacts, placed along the c crystallographic axis of the compound YBa2Cu3O7, which coincide with the propagation direction of the acoustic surface waves; transversal contacts, placed perpendicular to the crystallographic axis of the compound YBa2Cu3O7, which are perpendicular to the propagation direction of the acoustic surface axis; intermediate contacts, placed around the edges of the circumference between the longitudinal and the transversal contacts. en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală (AGEPI) en_US
dc.rights Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2020. 03. 14. en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject brevete de invenţie en_US
dc.subject dispozitive de memorie en_US
dc.subject dispozitive de comutare en_US
dc.subject comutare en_US
dc.subject memory devices en_US
dc.subject commutation devices en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 41/08 (2006.01) en_US
dc.title Criotron acustoelectronic cu timpul de comutare restructurabil en_US
dc.type Patent en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2020. 03. 14. Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2020. 03. 14.

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account