DSpace Repository

Формирование краев запрещенной зоны в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы As2S3-Ge

Show simple item record

dc.contributor.author ЦИУЛЯНУ, Д. И.
dc.date.accessioned 2021-01-25T14:25:54Z
dc.date.available 2021-01-25T14:25:54Z
dc.date.issued 1986
dc.identifier.citation ЦИУЛЯНУ, Д. И. Формирование краев запрещенной зоны в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы As2S3-Ge. In: Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1986, V. 20, Iss. 10, pp. 1900–1902. ISSN 0015-3222. en_US
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/12562
dc.description.abstract В настоящей работе приводятся экспериментальные данные, показывающие, что в случае твердых растворов системы As2S3—Ge уменьшение Ед действительно происходит за счет сдвига только одной, а именно валентной зоны. en_US
dc.language.iso ru en_US
dc.publisher Ioffe Institute, RAS en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject glassy semiconductors en_US
dc.subject semiconductors en_US
dc.subject chalcogenide semiconductors en_US
dc.subject стеклообразные полупроводники en_US
dc.subject полупроводники en_US
dc.subject халькогенидные полупроводники en_US
dc.title Формирование краев запрещенной зоны в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы As2S3-Ge en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account