Анизотропные квантовые точки в электрическом и магнитном полях

Abstract

Исследованы состояния носителей заряда в квантовых точках, находящихся во внешних электрическом и магнитном полях, с учетом возможной анизотропии свойств материала квантовых точек. Изучено влияние электрического и магнитного полей на поглощение света в квантовых точках во внешних электрическом и магнитном полях, при учете рассеяния носителей заряда на длинноволновых акустических колебаниях кристаллической решетки. Была выбрана модель квантовой точки относительно крупной по размерам, с достаточным количеством носителей заряда, так чтобы можно было использовать понятие функции плотности состояний носителей и приближение эффективной массы. Для расчетов был взят параболический ограничивающий потенциал наносистемы при различных степенях анизотропии эффективной массы носителей заряда, что, при фиксированном значении потенциального барьера на границе, соответствует различным формам и размерам эллипсоидальных квантовых точек.