Влияние двухфотонных процессов на поведение законов дисперсии экситон-поляритонов в условиях действия сильной накачки в области М-полосы люминесценции

Abstract

Теоретически исследовано двухимпульсное взаимодействие с экситонами и биэкситонами в полупроводниках. Рассмотрены условия действия мощной накачки в области М–полосы и действия пробного импульса в области экситонного перехода, кроме того, учитывается двухфотонное возбуждение биэкситонов фотонами обоих импульсов. Показано, что в условиях действия мощной накачки в области М– полосы люминесценции закон дисперсии несущей волны имеет три ветви как при учете двухфотонного процесса, так и без учета его. Были найдены значения параметров, при которых может наблюдаться пересечение ветвей законов дисперсии, обусловленное вырождением энергии экситонного уровня. Предсказан эффект существенного изменения силы связи между экситоном и фотоном слабого импульса при изменении интенсивности накачки. Показано, что учет знаков констант взаимодействия или, точнее, фазовые соотношения между константами чрезвычайно важны. Поведение законов дисперсии обусловлено действием квантовой интерференции и обусловлено наличием в выражении, описывающем закон дисперсии, слагаемого пропорционального произведению констант взаимодействия.