DSpace Repository

Procedeu de obţinere a peliculelor subţiri de semiconductoare oxidice de In2O3

Show simple item record

dc.contributor Universitatea Tehnică a Moldovei
dc.contributor.author KOROTCENKOV, Ghenadii
dc.date.accessioned 2021-04-28T08:55:17Z
dc.date.available 2021-04-28T08:55:17Z
dc.date.issued 2010-01-31
dc.identifier.citation KOROTCENKOV, Ghenadii. Procedeu de obţinere a peliculelor subţiri de semiconductoare oxidice de In2O3. Brevet MD 4010, CIB C30B 29/16, C30B 29/64, C30B 33/02, C01G 15/00. Universitatea Tehnică a Moldovei. Nr. depozit: a 2007 0334. Data depozit: 2007.12.12. Data public.: 2010.01.31. In: BOPI. 2010, nr. 1. en_US
dc.identifier.other Nr. depozit: a 2007 0334
dc.identifier.uri http://www.db.agepi.md/Inventions/details/a%202007%200334
dc.identifier.uri http://81.180.74.21:8080/xmlui/handle/123456789/14560
dc.description.abstract Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a peliculelor subţiri de semiconductoare oxidice, în particular de In2O3. Procedeul include depunerea peliculelor prin piroliză spray la temperatura de 450…550°С din soluţii apoase de InCl3 cu concentraţia sării de metal din soluţie ce depăşeşte 0,2М cu recoacerea ulterioară în atmosferă neutră sau cu conţinut de oxigen la o temperatură nu mai mică de 1000°С. Rezultatul invenţiei constă în obţinerea peliculelor cu textură înaltă în direcţia (100) cu grosimea de 200…3000 nm cu dimensiuni mari ale suprafeţei cristalografice plate a cristalitelor. en_US
dc.description.abstract The invention relates to the field of obtaining thin films of oxide semiconductors, particularly of In2O3. The method includes deposition of films by spray pyrolysis at the temperature of 450...550oC from aqueous InCl3 solutions with the metal salt concentration in the solution exceeding 0.2M with subsequent annealing in the neutral or oxygen-containing atmosphere at a temperature not less than 1000°C. The result of the invention consists in obtaining films with high texture in the direction of (100) having a thickness of 200…3000 nm with large size of the crystallographic plane surface of crystallites. en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova en_US
dc.rights Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2027.12.12. en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject brevete de invenţie en_US
dc.subject pelicule subţiri en_US
dc.subject semiconductoare en_US
dc.subject thin films en_US
dc.subject films en_US
dc.subject semiconductors en_US
dc.subject.classification IPC: C30B 29/16 (2006.01) en_US
dc.subject.classification IPC: C30B 29/64 (2006.01)
dc.subject.classification IPC: C30B 33/02 (2006.01)
dc.subject.classification IPC: C01G 15/00 (2006.01)
dc.title Procedeu de obţinere a peliculelor subţiri de semiconductoare oxidice de In2O3 en_US
dc.type Patent en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2027.12.12. Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2027.12.12.

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account