DSpace Repository

Procedeu de obţinere a zonelor nanostructurale semiconductoare

Show simple item record

dc.contributor Universitatea Tehnică a Moldovei
dc.contributor.author MONAICO, Eduard
dc.contributor.author TIGHINEANU, Ion
dc.contributor.author URSACHI, Veaceslav
dc.contributor.author POSTOLACHE, Vitalie
dc.date.accessioned 2021-04-28T07:29:13Z
dc.date.available 2021-04-28T07:29:13Z
dc.date.issued 2009-01-31
dc.identifier.citation MONAICO, Eduard, TIGHINEANU, Ion, URSACHI, Veaceslav et al. Procedeu de obţinere a zonelor nanostructurale semiconductoare. Brevet MD 3811, CIB B82B 3/00, C25F 3/12, H01L 21/3063, C01D 3/04. Universitatea Tehnică a Moldovei. Nr. depozit: a 2007 0303. Data depozit: 2007.11.06. Data public.: 2009.01.31. In: BOPI. 2009, nr. 1. en_US
dc.identifier.other Nr. depozit: a 2007 0303
dc.identifier.uri http://www.db.agepi.md/Inventions/details/a%202007%200303
dc.identifier.uri http://81.180.74.21:8080/xmlui/handle/123456789/14538
dc.description.abstract Invenţia se referă la producerea semiconductorilor. Procedeul de obţinere a zonelor nanostructurale semiconductoare include depunerea pe una din feţele unui cristal semiconductor a unei măşti cu o porţiune deschisă, corodarea electrochimică la anodizare într-o soluţie apoasă de NaCl şi înlăturarea măştii. Rezultatul invenţiei constă în obţinerea zonelor nanostructurale semiconductoare cu morfologia dirijată de concentraţia soluţiei de NaCl şi de parametrii electrici aplicaţi, utilizând soluţia de NaCl care nu prezintă pericol pentru sănătatea personalului sau pentru mediul ambiant. en_US
dc.description.abstract The invention relates to the semiconductor production. The process for obtaining semiconductor nanostructural zones includes deposition on one of the semiconductor crystal surfaces of a mask with an open portion, electrochemical pickling at anodizing in an aqueous NaCl solution and removal of mask. The result of the invention consists in obtaining semiconductor nanostructural zones with the morphology adjusted by the concentration of the NaCl solution and by the applied electrical parameters, using the NaCl solution which does not present hazard for personnel health or for the environment. en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova en_US
dc.rights Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2027.11.06. en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject brevete de invenţie en_US
dc.subject zone nanostructurale semiconductoare en_US
dc.subject cristale semiconductoare en_US
dc.subject semiconductoare en_US
dc.subject semiconductor nanostructural zones en_US
dc.subject semiconductors en_US
dc.subject semiconductor crystal surfaces en_US
dc.subject.classification IPC: B82B 3/00 (2006.01) en_US
dc.subject.classification IPC: C25F 3/12 (2006.01)
dc.subject.classification IPC: H01L 21/3063 (2006.01)
dc.subject.classification IPC: C01D 3/04 (2006.01)
dc.title Procedeu de obţinere a zonelor nanostructurale semiconductoare en_US
dc.type Patent en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2027.11.06. Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2027.11.06.

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account