DSpace Repository

Dispozitiv semiconductor de tip varactor şi procedeul confecţionării lui

Show simple item record

dc.contributor Universitatea Tehnică a Moldovei
dc.contributor.author TIGHINEANU, Ion
dc.contributor.author URSACHI, Veaceslav
dc.contributor.author ALBU, Sergiu
dc.contributor.author MONAICO, Eduard
dc.date.accessioned 2021-04-27T08:11:21Z
dc.date.available 2021-04-27T08:11:21Z
dc.date.issued 2008-01-31
dc.identifier.citation TIGHINEANU, Ion, URSACHI, Veaceslav, ALBU, Sergiu et al. Dispozitiv semiconductor de tip varactor şi procedeul confecţionării lui. Brevet MD 3494, CIB H01L 27/04, H01L 21/77, B82B 3/00. Universitatea Tehnică a Moldovei. Nr. depozit: a 2006 0170. Data depozit: 2006.06.29. Data public.: 2008.01.31. In: BOPI. 2008, nr. 1. en_US
dc.identifier.other Nr. depozit: a 2006 0170
dc.identifier.uri http://www.db.agepi.md/Inventions/details/a%202006%200170
dc.identifier.uri http://81.180.74.21:8080/xmlui/handle/123456789/14470
dc.description.abstract Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor, în special la dispozitive semiconductoare cu capacitate variabilă. Dispozitivul semiconductor de tip varactor în baza diodei Schottky include un substrat semiconductor ce conţine o regiune structurată şi contacte ohmice. Noutatea dispozitivului constă în aceea că regiunea structurată este executată poroasă, cu porii orientaţi perpendicular suprafeţei, totodată raportul adâncimii regiunii poroase către distanţa dintre pori este mai mare de zece. Procedeul de confecţionare a dispozitivului semiconductor de tip varactor include decaparea substratului semiconductor şi depunerea contactului metalic de tip Schottky şi a contactelor ohmice. Noutatea procedeului constă în aceea că decaparea substratului se efectuează prin metoda electrochimică, iar depunerea contactului metalic de tip Schottky se efectuează prin aplicarea impulsurilor de tensiune în soluţie de electrolit. en_US
dc.description.abstract The invention relates to the semiconductor engineering, in particular to the semiconductor devices with variable capacitance. The semiconductor varactor-type device on base of Schottky diode includes a semiconductor body containing a structured region and ohmic contacts. Novelty of the device consists in that the structured region is made porous, with pores oriented perpendicular to the surface, at the same time the ratio of porous region depth to the distance between pores is more than ten. The process for manufacture of the semiconductor varactor-type device includes etching of the semiconductor body and deposition of the Schottky-type metallic contact and of the ohmic contacts. Novelty of the process consists in that the body etching is carried out by the electrochemical method, and deposition of the Schottky metallic contact is carried out by application of voltage impulses into electrolyte solution. en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova en_US
dc.rights Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2026.06.29. en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject brevete de invenţie en_US
dc.subject dispozitive semiconductoare en_US
dc.subject semiconductoare en_US
dc.subject varactoare en_US
dc.subject diode Schottky en_US
dc.subject semiconductor devices en_US
dc.subject semiconductors en_US
dc.subject Schottky diodes en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 27/04 (2006.01) en_US
dc.subject.classification IPC: H01L 21/77 (2006.01)
dc.subject.classification IPC: B82B 3/00 (2006.01)
dc.title Dispozitiv semiconductor de tip varactor şi procedeul confecţionării lui en_US
dc.type Patent en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2026.06.29. Except where otherwise noted, this item's license is described as Brevet nevalabil. Data expirării brevetului: 2026.06.29.

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account