DSpace Repository

Dispozitiv şi metodă de măsurare a rezistenţei senzorilor pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi

Show simple item record

dc.contributor Universitatea Tehnică a Moldovei
dc.contributor.author VERJBIŢKI, Valerii
dc.contributor.author LUPAN, Oleg
dc.date.accessioned 2021-04-27T07:55:13Z
dc.date.available 2021-04-27T07:55:13Z
dc.date.issued 2016-08-31
dc.identifier.citation VERJBIŢKI, Valeri, LUPAN, Oleg. Dispozitiv şi metodă de măsurare a rezistenţei senzorilor pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi. Brevet MD 1065, CIB B82Y 35/00, G01D 5/12, G01R 31/02, G01R 31/26, G01R 31/27. Universitatea Tehnică a Moldovei. Nr. depozit: s 2015 0148. Data depozit: 2015.11.09. Data public.: 2016.08.31. In: BOPI. 2016, nr. 8. en_US
dc.identifier.other Nr. depozit: s 2015 0148
dc.identifier.uri http://www.db.agepi.md/Inventions/details/s%202015%200148
dc.identifier.uri http://81.180.74.21:8080/xmlui/handle/123456789/14466
dc.description.abstract Invenţia se referă la domeniul tehnicii de măsurare şi poate fi utilizată în aparate de măsurat, în care se utilizează senzori pe bază de oxizi semiconductori nano-structuraţi. Dispozitivul de măsurare a rezistenţei senzorilor pe bază de oxizi semiconductori nano-structuraţi include o sursă de tensiune de referinţă conectată la un voltmetru şi unită în serie cu senzorul nano-structurat cercetat şi cu un rezistor suplimentar, la nodul de conectare a căruia cu senzorul este conectată intrarea unui amplificator. Ieşirea amplificatorului este conectată la un voltmetru, totodată rezistorul, nodurile comune ale sursei de tensiune de referinţă, amplificatorul şi voltmetrele sunt conectate la masă. Metoda de măsurare a rezistenţei senzorilor pe bază de oxizi semiconductori nano-structuraţi constă în aceea că se măsoară tensiunea U1 a sursei de tensiune de referinţă, se măsoară tensiunea U3 pe rezistorul suplimentar, se calculează valoarea tensiunii care cade pe senzorul cercetat conform formulei Ux=U1-U3, şi se calculează valoarea curentu-lui care trece prin senzorul cercetat conform formulei Ix=U3/R3. Calcularea valorii rezistenţei senzorului Rx se efectuează conform legii lui Ohm, utilizând valorile obţinute Ux şi Ix. en_US
dc.description.abstract The invention relates to the field of measuring equipment and can be used in measuring apparatuses that use sensors based on nanostructured semiconductor oxides. The device for measuring the resistance of sensors based on nanostructured semiconductor oxides comprises a reference voltage source, connected to a voltmeter and connected in series to the test nanostructured sensor and to an additional resistor, to the connecting node point of which to the sensor is connected the input of an amplifier. The output of the amplifier is connected to a voltmeter, while the resistor, the common node points of the reference voltage source, the amplifier and the voltmeters are connected to ground. The method for measuring the resistance of sensors based on nanostructured semiconductor oxides consists in that it is measured the U1 voltage of the reference voltage source, is measured the U3 voltage on the additional resistor, is calculated the voltage value that falls on the test sensor according to the formula Ux=U1-U3, and is calculated the amount of current passing through the test sensor according to the formula Ix=U3/R3. Calculation of Rx sensor resistance value is performed in accordance with Ohm’s law, using the obtained values Ux and Ix. en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova en_US
dc.rights Statut: Brevet valabil. Data expirării brevetului: 2021.11.09. en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject senzori en_US
dc.subject oxizi semiconductori nanostructuraţi en_US
dc.subject măsurarea rezistenţei senzorilor en_US
dc.subject nanosensors en_US
dc.subject nanostructured semiconductor oxides en_US
dc.subject measuring resistance of sensors en_US
dc.subject brevete de invenție en_US
dc.subject invenții en_US
dc.subject.classification IPC: B82Y 35/00 (2011.01) en_US
dc.subject.classification IPC: G01D 5/12 (2006.01)
dc.subject.classification IPC: G01R 31/02 (2006.01)
dc.subject.classification IPC: G01R 31/26 (2006.01)
dc.subject.classification IPC: G01R 31/27 (2006.01)
dc.title Dispozitiv şi metodă de măsurare a rezistenţei senzorilor pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi en_US
dc.type Patent en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Statut: Brevet valabil. Data expirării brevetului: 2021.11.09. Except where otherwise noted, this item's license is described as Statut: Brevet valabil. Data expirării brevetului: 2021.11.09.

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account