IRTUM – Institutional Repository of the Technical University of Moldova

Browsing Articole din publicaţii internaţionale by Issue Date

Browsing Articole din publicaţii internaţionale by Issue Date

Sort by: Order: Results:

  • СЫРБУ, Н. Н.; ХАЧАТУРОВА, С. Б.; СТАМОВ, И. Г. (Ioffe Institute, 1984)
    Изменение концентрации свободных носителей заряда не влияет на ширину запрещенной зоны V1~C1 и т. д. Увеличение концентрации свободных носителей заряда приводит к смещению предела сходимости ОВС (е'0+АЕ) в сторону меньших ...
  • СТАМОВ, И. Г.; СЫРБУ, Я . Я.; ХАЧАТУРОВА, С. Б. (Ioffe Institute, 1984)
    Исследовано влияние электрического поля барьера Шоттки Au—ZnP2 на водородоподобные спектры отражения и поглощения в дифосфиде цинка. Установлено влияние поля на контур экситонных спектров отражения, а также на спектры ...
  • NEUMANN, H.; SOBOTTA, H.; RIEDE, V.; SYRBU, N. N.; RADAUTSAN, S. I. (WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, 1984)
    Polarization-dependent infrared reflectivity spectra of CdGa2S4 are measured at 300 K in the wavenumber range from 180 to 500 cm−1. The analysis of the spectra yields three E and four B modes in this frequency range. The ...
  • БРЫНЗАРЬ, В. И.; ДОРОГАН, В. В.; ИВАНОВ, М. Б.; ТРОФИМ, В. Г.; ЧУМАК, В. А.; ЧЕБАН, Л. И. (Ioffe Institute, RAS, 1984)
    В настоящей работе исследованы некоторые свойства ТСЭ рAlxGa1-xAs-nGaAs отделенных от подложек GaAs, и рассмотрены возможности их применения в составе каскадных солнечных элементов (КСЭ) с использованием Si СЭ в качестве ...
  • GEORGOBIANI, A. N.; URSAKI, V. V.; RADAUTSAN, S. I.; TIGINYANU, I. M. (ELSEVIER, 1985)
    Results of a study of near-band-edge absorption in both initial and annealed CdGa2S4 and CdIn2S4 single crystals at different temperatures are presented. Exciton-phonon interaction and cation disorder are shown to determine ...
  • KANTSER, V. G.; MALKOVA, N. M.; SIDORENKO, A. S. (Elservier, 1985)
    Within the frames of the method based on the genesis of an electronic spectrum out of atomic p-states (p-model [1]) the band structure rearrangement in dependence on composition of cubic solid solutions (TIB5C62)1−x(2A4B6)x ...
  • СЫРБУ, Н. Н.; ХАЧАТУРОВА, С. Б. (Ioffe Institute, 1985)
    В модулированных по длине волны спектрах поглощения моноклинных кристаллов ди-фосфида цинка в поляризации Ej_c выявлены запрещенные непрямые переходы в экситон-ную зону 72=1 с участием £0-фононов симметрии Г4 . По спектрам ...
  • PEVTSOV, A. B.; SEL'KIN, A. V.; SYRBU, N. N.; URNANETS, A. G. (Russian Academy of Sciences, 1985)
    A well-defined doublet structure due to polariton emission has been found in the spectra of resonance exciton luminescence emitted by the black modification of ZnP, crystals at T = 2 K. The shape of the spectra is analyzed ...
  • АНДРИЕШ, А. М.; ЦИУЛЯНУ, Д. И.; КОЛОМЕЙКО, Э. П. (Ioffe Institute, RAS, 1985)
    Исследована зависимость ВАХ изотипных гетеропереходов стеклообразный As2S3—монокристалл кремния от толщины стеклообразного слоя в широких интервалах приложенных напряжений (10 -2 ≤ U ≤ 10 2 В) и температур (77 ≤ Т ≤ 400 ...
  • ДОРОГАН, В. В.; НЕГРЕСКУЛ, В. В.; ТРОФИМ, В. Г.; ЧУМАК, В. А. (Ioffe Institute, RAS, 1985)
    Задачей настоящей работы являлось исследование излучательных свойств нелегированных и легированных Zn, Sn, Ge и Si слоев GaAs после их отделения о т несущей подложки, а также установление влияния промежуточного слоя ...
  • BOIKO, M. P.; REDKO, N. A.; BODIUL, P. P.; RODIONOV, N. A. (John Wiley & Sons, Inc., 1985)
    The phonon drag thermopower was discovered and investigated in a number semimetals of Bi, Sb and As type /1 to 3/. In the semivonductor alloys Bi 1-xSbx which are very interested from the practical point of view this ...
  • MOSKALENKO, S. A.; BOBRYSHEVA, A. I.; RUSSU, S. S.; BALTAGA, V. V.; LELYAKOV, A. V. (IOP Publishing, 1985)
    The statistical properties of non-linear two-component ortho-para exciton gas are considered, employing the Bogoliubov variational principle and the mean-field approximation. The exciton concentrations are determined from ...
  • MOSKALENKO, S. A.; RUSSU, S. S.; BALTAGA, V. V.; BOBRYSHEVA, A. I.; LELYAKOV, A. V. (John Wiley & Sons, Inc., 1985)
    The quasiequilibrium state of the two-component non-linear ortho-para-exciton gas is investigated. The concentration shifts of the exciton levels are taken into account at high densities of quasiparticles. Three exciton ...
  • GEORGOBIANI, A. N.; GRUZINTSEV, A. N.; RATSEEV, S. A.; TEZLEVAN, V. E.; TIGINYANU, I. M.; URSAKI, V. V. (WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, 1986)
    Results of a study of the influence of nonstoichiometry as well as of annealing and argon ion implantation on photoluminescence and photoconductivity spectra of cadmium thioindate single crystals are presented. The energy ...
  • СИНЯВСКИЙ, Э. П.; СЫРБУ, Н. Н.; ЧЕБОТАРЬ, В. Н. (Ioffe Institute, 1986)
    Изучено влияние примесных центров различных зарядовых состояний на механизмы образования обратных водородоподобных серий (ОВС) в полупроводниках. Теоретически и экспериментально исследовано поглощение света в области О ВС ...
  • СЫРБУ, Н. Н.; ХАЧАТУРОВА, С. Б.; РАДАУЦАН, С. И. (Russian Academy of Sciences, 1986)
    В данной работе рассматривается влияние поляризации и направления распространения падающей световой волны на оптические спектры обратной водородоподобной серии (ОВС) линий поглощения и отражения. Измерения проведены на ...
  • СЫРБУ, Н. Н.; ХАЧАТУРОВА, С. Б.; РАДАУЦАН, С. И. (Russian Academy of Sciences, 1986)
    В данной работе рассматривается зависимость экситонных спектров отражения и поглощения от ориентации волнового вектора К относительно кристаллографических осей дифосфида цинка.
  • ЦИУЛЯНУ, Д. И. (Ioffe Institute, RAS, 1986)
    В настоящей работе приводятся экспериментальные данные, показывающие, что в случае твердых растворов системы As2S3—Ge уменьшение Ед действительно происходит за счет сдвига только одной, а именно валентной зоны.
  • ГЕОРГОБИАНИ, А. Н.; МЕТЛИНСКИЙ, П. Н.; РАДАУЦАН, С. И.; ТИГИНЯНУ, И. М.; УРСАКИ, В. В. (Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, 1986)
    Соединение HgGa2Se4 относится к тройным алмазоподобным полупроводникам AIIB2IIIrC4VI , в которых четверть катионных мест пуста. Долгое время считалось, что стехиометрические пустоты являются причиной отсутствия экситонных ...
  • TSIULYANU, D. I.; KOLOMEYKO, E. P.; STAMOV, V. N. (WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, 1987)
    In the present note the photoelectrical phenomena in isotype heterojunctions on te basis of single-crystal p-Si and vitreous As2S3 with aluminium or chromium electrodes, were investigated. The electrical properties and the ...

Search DSpace


Browse

My Account