Рамановские и ИК колебательные спектры в кристаллах TIGAS2

Abstract

Исследованы рамановское рассеяние в различных геометриях кристаллов TlGaS2 и их температурные зависимости в области 77—400 К. Обнаружен фазовый переход, который приводит к изменениям поляризационных зависимостей колебательных мод, к расщеплению линий, ослаблению одних и возгоранию других колебательных мод с понижением температуры. Исследованы колебательные спектры отражения в области 4000—50 с м -1 и выделены полярные колебательные LO- и 7,0-моды и их основные параметры. Рассчитаны эффективный заряд Сигетти, динамический борновский заряд и относительный эффективный заряд анионов и катионов в поляризациях Е || а и Е || b кристаллов TlGaS2 . Показано различие в степени ионности катионов и анионов по направлениям осей а и b.